Central Semiconductor MPQ2484

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-116

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

4

Power Dissipation (Max)

3W

hFEMin

300

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

14

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低噪音

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDIP-T14

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS

增益带宽积

50MHz

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

20nA

转换频率

50MHz

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最小直流增益（hFE）

300

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅