Central Semiconductor MPQ6502
- 收藏
- 对比
MPQ6502
420-MPQ6502
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
TO-116
大陆
立即发货

MPQ6502 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays product details from Central Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
MPQ6502详情
Central Semiconductor MPQ6502重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
包装/外壳
TO-116
引脚数
14
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4V
Number of Elements
4
Power Dissipation (Max)
650mW
hFEMin
30
已出版
2001
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
终止次数
14
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
14
资历状况
不合格
极性
NPN, PNP
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
200MHz
集电极发射器电压(VCEO)
1.4V
最大集电极电流
500mA
转换频率
200MHz
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最小直流增益(hFE)
30
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
MPQ6502拓展信息
Central Semiconductor
Central Semiconductor Corp
Central
Central
Central
Central
Central
Central
Central
Central







哦! 它是空的。