Central Semiconductor Corp 2N2913

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

350mV

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

175°C

hFEMin

60

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

600mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W6

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Dual

增益带宽积

60MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

30mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 10μA 5V

转换频率

60MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅