CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP 2N7002TR13

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.115A

漏极-源极导通最大电阻

7.5Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35W

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant