CHAMPION CMP60N03LD13

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CMP60N03LD13

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

CHAMPION MICROELECTRONIC CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

50 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0125 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

52 W