Champion Microelectronic Corp CMT01N60N92
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CMT01N60N92详情
Champion Microelectronic Corp CMT01N60N92重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
CHAMPION MICROELECTRONIC CORP
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Drain Current-Max (ID)
1 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-PBCY-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-92
漏极-源极导通最大电阻
8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
50 W
CMT01N60N92拓展信息
Champion Microelectronic Corp
Champion Microelectronic Corp








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