HAT1029R详情
C&K HAT1029R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
HAT1029R
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Part Package Code
SOIC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Risk Rank
5.39
Drain Current-Max (ID)
3.5 A
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.23 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
HAT1029R拓展信息
C&K
C&K
C&K
C&K
C&K
C&K
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