Comchip Technology 1N5264B-G
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1N5264B-G
513-1N5264B-G
二极管 - 齐纳 - 单
4-SMD, No Lead
大陆
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DIODE ZENER 500MW DO35 AXIAL
1最小包装量--
1N5264B-G详情
Comchip Technology 1N5264B-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-35
Package
Strip
厂商
SiTime
Product Status
活跃
Impedance (Max) (Zzt)
170 Ohms
Reference Voltage-Nom
60
Operating Temperature-Max
175
Power Dissipation (Max)
.5
Number of Elements
1
操作温度
-40°C ~ 125°C
系列
SiT8924
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
容差
-
类型
XO (Standard)
电压 - 供电
1.8V
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
12 MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
频率稳定性
±25ppm
输出量
LVCMOS, LVTTL
功能
Enable/Disable
基本谐振器
MEMS
最大电流源
4.5mA
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
100 nA @ 46 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
扩频带宽
-
功率 - 最大
500 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
60 V
最大电压允差
5
工作测试电流
2.1
绝对牵引范围 (APR)
-
动态阻抗-最大值
170
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
评级结果
AEC-Q100
1N5264B-G拓展信息
Comchip Technology
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