Comchip Technology CDBGBSC20650-G
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CDBGBSC20650-G
513-CDBGBSC20650-G
二极管 - 整流器 - 阵列
TO-247-3
大陆
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DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
1最小包装量--
CDBGBSC20650-G详情
Comchip Technology CDBGBSC20650-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
通孔
表面安装
NO
包装/外壳
TO-247-3
Number of Elements
2
Power Dissipation (Max)
109W
Operating Temperature (Max.)
175°C
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
应用
POWER
附加功能
PD-CASE
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 650V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7V @ 10A
工作温度 - 结点
-55°C~175°C
输出电流-最大值
33A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
650V
平均整流电流(Io)
33A DC
相位的数量
1
反向恢复时间
0ns
Rep Pk反向电压-最大值
650V
最大非代表Pk前进电流
100A
二极管配置
1 Pair Common Cathode
反向电流-最大值
100μA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CDBGBSC20650-G拓展信息
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