Comchip Technology CDBJCSC20650-G
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CDBJCSC20650-G详情
Comchip Technology CDBJCSC20650-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-2
供应商器件包装
TO-220AC
Package
Bulk
厂商
芯片技术
Product Status
Obsolete
系列
-
技术
SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向泄漏电流@ Vr
50 µA @ 650 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.8 V @ 20 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
650 V
平均整流电流(Io)
20A
电容@Vr, F
1170pF @ 0V, 1MHz
反向恢复时间(trr)
0 ns
CDBJCSC20650-G拓展信息
Comchip Technology
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