注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.781822
10
¥2.624362
100
¥2.475811
500
¥2.335673
1000
¥2.203464
Comchip Technology MMBT5551-G
- 收藏
- 对比
MMBT5551-G
513-MMBT5551-G
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
--
大陆
立即发货

RF Bipolar Transistors VCEO=160V IC=600mA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMBT5551-G详情
Comchip Technology MMBT5551-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Details
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
MMBT5551-G
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD
Risk Rank
7.87
系列
MMBT5551
包装
MouseReel
JESD-609代码
e3
类型
射频双极功率
端子表面处理
TIN
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
双极电源
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
160 V
MMBT5551-G拓展信息






哦! 它是空的。