BC109C
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Comset Semiconductor BC109C

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型号

BC109C

utmel 编号

519-BC109C

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Transistor

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BC109C
BC109C Comset Semiconductor Description: Transistor

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BC109C详情

Comset Semiconductor BC109C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • Housing material

    ceramic

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Transport packaging size/quantity

    28.5*21*19/1500

  • Mounting method

    SMD

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    2220

  • Case - mm

    5750

  • Capacitors series

    KGM

  • Gross weight

    0.434 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    康赛特半导体

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 容差

    ±10%

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 电容量

    4.7µF

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 深度

    6.1 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 电介质

    X7R

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • Fuse type

    Meltable insert in SMD housing 2410

  • 极性/通道类型

    NPN

  • Rated current

    0.5 A

  • JEDEC-95代码

    TO-18

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    420

  • Rated voltage

    250 V

  • 集电极-发射器电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    0.6 V

  • 环境耗散-最大值

    0.3 W

  • Operating voltage

    100V

  • 高度

    2.69 mm

  • 宽度

    2.69 mm

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技术文档: Comset Semiconductor BC109C.

BC109C拓展信息

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