Cornell Dubilier Electronics DCM152T450BF2B

包装/外壳

3-XFDFN

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

DFN1006B-3

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta), 3.125W (Tc)

厂商

NXP USA Inc.

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A (Ta)

Package

Bulk

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

450mOhm @ 300mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

127 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.9 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

-