DCM681T400CB2B
DCM681T400CB2B

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Cornell Dubilier Electronics DCM681T400CB2B

  • 收藏
  • 对比

型号

DCM681T400CB2B

utmel 编号

553-DCM681T400CB2B

商品类别

铝电解电容器

封装

20-PowerSOIC (0.433, 11.00mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 680uF Case 2.500 x 3.125in

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
DCM681T400CB2B
DCM681T400CB2B Cornell Dubilier Electronics Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 680uF Case 2.500 x 3.125in

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

DCM681T400CB2B详情

Cornell Dubilier Electronics DCM681T400CB2B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    20-PowerSOIC (0.433, 11.00mm Width)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    PG-DSO-20-87

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    -

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    -

  • Product Status

    活跃

  • Power Dissipation (Max)

    -

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • 操作温度

    -

  • 系列

    -

  • 技术

    GaNFET (Gallium Nitride)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    -

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    -

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    -

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

DCM681T400CB2B拓展信息

CGS152T450X5C
CGS152T450X5C

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

SEKR47M400ST
SEKR47M400ST

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

DCMC214U035DC2B
DCMC214U035DC2B

Cornell Dubilier Electronics

101C942U063AB2B
101C942U063AB2B

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

CGS152T200R3C
CGS152T200R3C

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

7P601V360A032
7P601V360A032

Cornell Dubilier Electronics

SK2R2M250ST
SK2R2M250ST

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

380LX102M100H022
380LX102M100H022

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

336CKE250M
336CKE250M

Cornell Dubilier Electronics

101602U010AA2A
101602U010AA2A

Cornell Dubilier Electronics

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z