C3M0075120J
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Cree/Wolfspeed C3M0075120J

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型号

C3M0075120J

utmel 编号

564-C3M0075120J

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

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C3M0075120J
C3M0075120J Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

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C3M0075120J详情

Cree/Wolfspeed C3M0075120J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

  • 表面安装

    YES

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    30A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    15V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    113.6W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    C3M™

  • 已出版

    2017

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    7

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G7

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    90m Ω @ 20A, 15V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 5mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1350pF @ 1000V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    51nC @ 15V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200V

  • Vgs(最大值)

    +19V, -8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    30A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.09Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    80A

  • DS 击穿电压-最小值

    1200V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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C3M0075120J拓展信息

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