CTS 416F4801XCDT

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

324W (Tc)

Frequency Aging

±3 ppm/Year

Standard Frequency

48 MHz

Mode of Oscillation

Fundamental

Mounting

表面贴装

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

类型

Crystal

技术

MOSFET (Metal Oxide)

频率稳定性

15 ppm

引脚数量

4

负载电容

18 pF

频率容差

±10 ppm

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.45 mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9580pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

串联电阻

100 Ohm

场效应管特性

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