CTS 656E20003I2T

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

供应商器件包装

6-WSON (2x2)

Package

Bulk

Base Product Number

CSD13202

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

厂商

德州仪器

Power Dissipation (Max)

2.7W (Ta)

Product Status

活跃

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

2.625 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Supply Voltage-Min

2.375 V

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

NexFET™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

频率

200 MHz

频率稳定性

50 PPM

终端样式

SMD/SMT

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.3mOhm @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

997 pF @ 6 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.6 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

12 V

Vgs（最大值）

±8V

产品类别

标准振荡器

输出格式

LVPECL

场效应管特性

-

宽度

5 mm

高度

2 mm

长度

7 mm