CY27H010-55WMB详情
Cypress CY27H010-55WMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis, Panel, Through Hole
触点镀层
Tin
表面安装
NO
房屋材料
Thermoplastic
终端数量
32
Insulation Materials
Thermoplastic
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
300 V
Package Description
0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
128000
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Package Equivalence Code
DIP32,.6
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY27H010-55WMB
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.74
Part Package Code
DIP
Usage Level
Military grade
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
定位的数量
23
端子表面处理
锡铅
颜色
Black
行数
1
HTS代码
8542.32.00.61
子类别
EPROMs
螺距
9.53 mm
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
额定电流
25 A
引脚数量
32
JESD-30代码
R-GDIP-T32
资历状况
不合格
接头数量
23
房屋颜色
Black
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
电压
300 V
电路数量
23
最大额定电流
25 A
层数
1
线规(最大值)
22 AWG
线规(最小值)
12 AWG
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.06 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.025 A
记忆密度
1048576 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
UVPROM
进线数
23
长度
112.979 mm
宽度
221 mm
达到SVHC
not_compliant
可燃性等级
UL94 V-0
无铅
无铅
CY27H010-55WMB拓展信息








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