Cypress CY62157DV30L-55ZXI

安装类型

Tinned Copper Wire - #20AWG

表面安装

YES

终端数量

48

Manufacturer

MOXIE INDUCTOR CORPORATION

RoHS

Y

Package Description

12 X 18.40 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-142, TSOP1-48

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP48,.8,20

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY62157DV30L-55ZXI

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

8.3

Part Package Code

TSOP1

尺寸/尺寸

13.97mm x 25.40mm

容差

Saturation Current: 0.175

JESD-609代码

e4

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8542.32.00.41

电容量

Inductance - 56000uH

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PDSO-G48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.2 V

电压

Rated Current: 0.12A

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.02 mA

组织结构

512KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.00002 A

等效串联电阻

DCR: 35-Ohm

记忆密度

8388608 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

宽度

12 mm

长度

18.4 mm

达到SVHC

unknown