CY9C62256-70SI详情
Cypress CY9C62256-70SI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Center hole for mechanical mounting
表面安装
YES
终端数量
28
Manufacturer
MOXIE INDUCTOR CORPORATION
RoHS
Y
Package Description
SOP, SOP28,.4
Package Style
小概要
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOP28,.4
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY9C62256-70SI
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.92
Part Package Code
SOIC
包装
Coils finished with sleeving on request
尺寸/尺寸
28mm x 22mm
容差
±10%
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.71
电容量
Inductance - 180uH
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
引线间距
15mm ±2
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
电压
IDC - 5.5A
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.09 mA
组织结构
32KX8
座位高度-最大
2.67 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00015 A
等效串联电阻
DCR - 5.5-Ohm
记忆密度
262144 bit
内存IC类型
存储器电路
宽度
7.505 mm
长度
17.905 mm
CY9C62256-70SI拓展信息








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