CYD02S36V18-200BBXI详情
Cypress CYD02S36V18-200BBXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
256
Package Description
LBGA, BGA256,16X16,40
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
64000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA256,16X16,40
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
3.3 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CYD02S36V18-200BBXI
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Number of Words
65536 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
LBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.67
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
256
JESD-30代码
S-PBGA-B256
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.58 V
电源
1.5/1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.42 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.86 mA
组织结构
64KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.7 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.35 A
记忆密度
2359296 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
1.4 V
宽度
17 mm
长度
17 mm
CYD02S36V18-200BBXI拓展信息








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