CYD02S36V18-200BBXI详情
Cypress CYD02S36V18-200BBXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
256
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Number of Words
65536 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
LBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.67
Package Description
LBGA, BGA256,16X16,40
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
64000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA256,16X16,40
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
3.3 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CYD02S36V18-200BBXI
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
引脚数量
256
JESD-30代码
S-PBGA-B256
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.58 V
电源
1.5/1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.42 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.86 mA
组织结构
64KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.7 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.35 A
记忆密度
2359296 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
1.4 V
宽度
17 mm
长度
17 mm
达到SVHC
compliant
CYD02S36V18-200BBXI拓展信息








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