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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥201.75378
10
¥190.333751
100
¥179.560145
500
¥169.396359
1000
¥159.807891
Cypress Semiconductor 5962-8858702VA
- 收藏
- 对比
5962-8858702VA
603-5962-8858702VA
无类别的
18-CDIP (0.300, 7.62mm)
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Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERDIP-18
--最小包装量--
¥
总价: ¥
5962-8858702VA详情
Cypress Semiconductor 5962-8858702VA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
18-CDIP (0.300, 7.62mm)
表面安装
NO
供应商器件包装
18-CerDIP
终端数量
18
Package
Bulk
Base Product Number
5962-8858702
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
0.300 INCH, CERDIP-18
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
4000
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Operating Temperature-Min
-55 °C
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
5962-8858702VA
Number of Words
4096 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.79
Part Package Code
DIP
操作温度
-55°C ~ 125°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
端子表面处理
锡铅
附加功能
AUTOMATIC POWER-DOWN
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
18
JESD-30代码
R-GDIP-T18
资历状况
MILITARY
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
4Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
35 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
4KX1
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
1
写入周期时间 - 字符、页面
35ns
记忆密度
4096 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
4K x 1
宽度
7.62 mm
长度
22.606 mm
5962-8858702VA拓展信息






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