Cypress Semiconductor CY100E422-5DC
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CY100E422-5DC
603-CY100E422-5DC
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Standard SRAM, 256X4, 5ns, ECL100K, CDIP24, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERDIP-24
--最小包装量--
CY100E422-5DC详情
Cypress Semiconductor CY100E422-5DC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
24
RoHS
Non-Compliant
Package Description
0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERDIP-24
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
256
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Package Equivalence Code
DIP24,.4
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY100E422-5DC
Number of Words
256 words
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.85
Part Package Code
DIP
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
ECL100K
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
24
JESD-30代码
R-GDIP-T24
资历状况
不合格
电源
-4.5 V
温度等级
OTHER
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.22 mA
组织结构
256X4
输出特性
OPEN-EMITTER
内存宽度
4
记忆密度
1024 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
标准SRAM
输出启用
NO
负电源电压
-4.5 V
CY100E422-5DC拓展信息







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