Cypress Semiconductor CY10E422L-7DC
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CY10E422L-7DC
603-CY10E422L-7DC
无类别的
24-CDIP (0.400, 10.16mm)
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Standard SRAM, 256X4, 7ns, ECL10K, CDIP24, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERDIP-24
1最小包装量--
CY10E422L-7DC详情
Cypress Semiconductor CY10E422L-7DC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
24-CDIP (0.400, 10.16mm)
表面安装
NO
供应商器件包装
24-SBDIP
终端数量
24
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
CY10E422
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
DIP,
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Words Code
256
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
7 ns
Operating Temperature-Max
75 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY10E422L-7DC
Number of Words
256 words
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.88
Part Package Code
DIP
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.94V ~ 5.46V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
unknown
引脚数量
24
JESD-30代码
R-GDIP-T24
资历状况
COMMERCIAL
温度等级
商业扩展
内存大小
1Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
7 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256X4
内存宽度
4
写入周期时间 - 字符、页面
7ns
记忆密度
1024 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
负电源电压
-5.2 V
组织的记忆
256 x 4
CY10E422L-7DC拓展信息







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