Cypress Semiconductor CY10E484-4DC

安装类型

通孔

包装/外壳

28-CDIP (0.400, 10.16mm)

表面安装

NO

供应商器件包装

28-CDIP

终端数量

28

Package

Bulk

Base Product Number

CY10E484

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

DIP,

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Number of Words Code

4000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

4 ns

Operating Temperature-Max

75 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY10E484-4DC

Number of Words

4096 words

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.88

Part Package Code

DIP

操作温度

0°C ~ 75°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.94V ~ 5.46V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

Reach合规守则

unknown

引脚数量

28

JESD-30代码

R-GDIP-T28

资历状况

COMMERCIAL

温度等级

商业扩展

内存大小

16Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

4 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

4KX4

内存宽度

4

写入周期时间 - 字符、页面

4ns

记忆密度

16384 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

负电源电压

-5.2 V

组织的记忆

4K x 4