Cypress Semiconductor CY37128P84-100YMB
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CY37128P84-100YMB
603-CY37128P84-100YMB
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EE PLD, 12ns, 128-Cell, CMOS, CQCC84, CERAMIC, LCC-84
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CY37128P84-100YMB详情
Cypress Semiconductor CY37128P84-100YMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
84
终端数量
84
RoHS
Compliant
Memory Types
EEPROM
Package Description
CERAMIC, LCC-84
Package Style
CHIP CARRIER
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
LDCC84,1.2SQ
Operating Temperature-Min
-55 °C
Supply Voltage-Nom
5 V
Reflow Temperature-Max (s)
30
Supply Voltage-Min
4.5 V
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY37128P84-100YMB
Clock Frequency-Max
80 MHz
Package Code
QCCJ
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of I/O Lines
64
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Supply Voltage-Max
5.5 V
Risk Rank
5.28
Part Package Code
LCC
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
128 MACROCELLS; CONFIGURABLE I/O OPERATION WITH 3.3V OR 5V
HTS代码
8542.39.00.01
子类别
可编程逻辑器件
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
84
JESD-30代码
S-CQCC-J84
资历状况
不合格
工作电源电压
5 V
电源
3.3/5,5 V
温度等级
MILITARY
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
传播延迟
12 ns
组织结构
1 DEDICATED INPUTS, 64 I/O
座位高度-最大
4.826 mm
可编程逻辑类型
EE PLD
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
逻辑块数(LABs)
8
输出功能
MACROCELL
宏细胞数
128
JTAG BST
YES
专用输入数量
1
系统内可编程
YES
宽度
29.21 mm
长度
29.21 mm
CY37128P84-100YMB拓展信息







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