Cypress Semiconductor CY6116-55DMB

表面安装

NO

终端数量

24

Package Description

DIP, DIP24,.6

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

2000

Part Package Code

DIP

Risk Rank

8.01

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

DIP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Number of Words

2048 words

Manufacturer Part Number

CY6116-55DMB

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

125 °C

Access Time-Max

55 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Equivalence Code

DIP24,.6

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AUTOMATIC POWER-DOWN

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

24

JESD-30代码

R-GDIP-T24

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.13 mA

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.715 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

YES

宽度

15.24 mm

长度

31.877 mm