Cypress Semiconductor CY6116A-35LMB
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CY6116A-35LMB
603-CY6116A-35LMB
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Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, LCC-28
1最小包装量--
CY6116A-35LMB详情
Cypress Semiconductor CY6116A-35LMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
28
Package Description
LCC-28
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
2000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Equivalence Code
LCC28,.45SQ
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY6116A-35LMB
Number of Words
2048 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCN
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.29
Part Package Code
QLCC
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTOMATIC POWER-DOWN
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
S-XQCC-N28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.1 mA
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.9812 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.02 A
记忆密度
16384 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
输出启用
YES
宽度
11.43 mm
长度
11.43 mm
CY6116A-35LMB拓展信息







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