Cypress Semiconductor CY62128BLL-55ZI
- 收藏
- 对比
CY62128BLL-55ZI
603-CY62128BLL-55ZI
无类别的
--
大陆
立即发货

Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
1最小包装量--
CY62128BLL-55ZI详情
Cypress Semiconductor CY62128BLL-55ZI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
32
终端数量
32
Number of Words
128000
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TSOP1,
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY62128BLL-55ZI
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.43
Part Package Code
TSOP1
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
COMMERCIAL
工作电源电压
5 V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
端口的数量
1
电源电流
20 mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
55 ns
组织结构
128KX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
17 b
密度
1 Mb
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
同步/异步
Asynchronous
字长
8 b
内存IC类型
标准SRAM
宽度
8 mm
长度
18.4 mm
CY62128BLL-55ZI拓展信息







哦! 它是空的。