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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.752841
10
¥1.653624
100
¥1.560024
500
¥1.471721
1000
¥1.388415
Cypress Semiconductor CY62128DV30LL-70ZRI
- 收藏
- 对比
CY62128DV30LL-70ZRI
603-CY62128DV30LL-70ZRI
无类别的
32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, REVERSE, TSOP1-32
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CY62128DV30LL-70ZRI详情
Cypress Semiconductor CY62128DV30LL-70ZRI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
32-RTSOP
终端数量
32
Package
Bulk
Base Product Number
CY62128
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
REVERSE, TSOP1-32
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
CY62128DV30LL-70ZRI
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSOP1-R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.65
Part Package Code
TSOP1
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
MoBL®
端子表面处理
未说明
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.2 V
内存大小
1Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
70 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
128K x 8
宽度
8 mm
长度
18.4 mm
CY62128DV30LL-70ZRI拓展信息






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