Cypress Semiconductor CY62136CV30LL-70BVI
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CY62136CV30LL-70BVI
603-CY62136CV30LL-70BVI
无类别的
48-VFBGA
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Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
1最小包装量--
CY62136CV30LL-70BVI详情
Cypress Semiconductor CY62136CV30LL-70BVI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
48-VFBGA
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
48-VFBGA (6x8)
终端数量
48
Package
Bulk
Base Product Number
CY62136
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Risk Rank
5.79
Part Package Code
BGA
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
VFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Number of Words
131072 words
Manufacturer Part Number
CY62136CV30LL-70BVI
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
128000
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Package Description
6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
MoBL®
端子表面处理
未说明
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.7V ~ 3.3V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
内存大小
2Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
70 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX16
座位高度-最大
1 mm
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
128K x 16
长度
8 mm
宽度
6 mm
达到SVHC
unknown
CY62136CV30LL-70BVI拓展信息







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