Cypress Semiconductor CY62136CV33LL-55BAI
- 收藏
- 对比
CY62136CV33LL-55BAI
603-CY62136CV33LL-55BAI
无类别的
--
大陆
立即发货

Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
1最小包装量--
CY62136CV33LL-55BAI详情
Cypress Semiconductor CY62136CV33LL-55BAI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY62136CV33LL-55BAI
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.85
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Package Shape
SQUARE
Package Code
TFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
131072 words
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
S-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
128KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000006 A
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.5 V
宽度
7 mm
长度
7 mm
CY62136CV33LL-55BAI拓展信息







哦! 它是空的。