Cypress Semiconductor CY62136VLL-55ZI

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

44

Package

Bulk

Base Product Number

CY62136

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

TSOP2-44

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

128000

Part Package Code

TSOP2

Risk Rank

5.74

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

TSOP2

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Number of Words

131072 words

Manufacturer Part Number

CY62136VLL-55ZI

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

55 ns

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Equivalence Code

TSOP44,.46,32

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

引脚数量

44

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

内存大小

2Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.015 mA

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.194 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

待机电流-最大值

0.0000075 A

记忆密度

2097152 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1 V

组织的记忆

128K x 16

宽度

10.16 mm

长度

18.415 mm

达到SVHC

not_compliant