Cypress Semiconductor CY62137CV30LL-70BAIT
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CY62137CV30LL-70BAIT
603-CY62137CV30LL-70BAIT
存储器
48-TFBGA
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Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
1最小包装量--
CY62137CV30LL-70BAIT详情
Cypress Semiconductor CY62137CV30LL-70BAIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
供应商器件包装
48-FBGA (7x7)
终端数量
48
Package
Bulk
Base Product Number
CY62137
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
CY62137CV30LL-70BAIT
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.78
Part Package Code
BGA
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
MoBL®
JESD-609代码
e0
端子表面处理
锡铅
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.7V ~ 3.3V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-PBGA-B48
资历状况
COMMERCIAL
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
2Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
70 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX16
座位高度-最大
1.2 mm
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
电压 - 供电 (最大值)
3.3 V
电压 - 供电 (最小值)
2.7 V
组织的记忆
128K x 16
宽度
7 mm
长度
7 mm
CY62137CV30LL-70BAIT拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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