Cypress Semiconductor CY62147DV18LL-70BVIT
- 收藏
- 对比
CY62147DV18LL-70BVIT
603-CY62147DV18LL-70BVIT
无类别的
48-VFBGA
大陆
立即发货

Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
1最小包装量--
CY62147DV18LL-70BVIT详情
Cypress Semiconductor CY62147DV18LL-70BVIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-VFBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
48-VFBGA (6x8)
终端数量
48
Package
Bulk
Base Product Number
CY62147
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.79
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
VFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
262144 words
Manufacturer Part Number
CY62147DV18LL-70BVIT
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
256000
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Package Description
6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
MoBL2™
JESD-609代码
e0
端子表面处理
锡铅
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
1.65V ~ 2.25V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
2.25 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
内存大小
4Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
70 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX16
座位高度-最大
1 mm
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
256K x 16
长度
8 mm
宽度
6 mm
达到SVHC
unknown
CY62147DV18LL-70BVIT拓展信息







哦! 它是空的。