Cypress Semiconductor CY62147DV30LL-55ZSXI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

44

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY62147

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

LEAD FREE, TSOP2-44

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY62147DV30LL-55ZSXI

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.66

Part Package Code

TSOP2

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

TIN

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

COMMERCIAL

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

4Mbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256KX16

座位高度-最大

1.194 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

18 b

密度

4 Mb

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.2 V

组织的记忆

256K x 16

宽度

10.16 mm

长度

18.415 mm

辐射硬化

无