Cypress Semiconductor CY62147V18-85BAI
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CY62147V18-85BAI
603-CY62147V18-85BAI
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Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7 X 8.50 MM, 1.10 MM HEIGHT, FINE PITCH, TBGA-48
1最小包装量--
CY62147V18-85BAI详情
Cypress Semiconductor CY62147V18-85BAI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
7 X 8.50 MM, 1.10 MM HEIGHT, FINE PITCH, TBGA-48
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
85 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY62147V18-85BAI
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.67
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.75 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.007 mA
组织结构
256KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000025 A
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1 V
宽度
7 mm
长度
8.5 mm
CY62147V18-85BAI拓展信息







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