Cypress Semiconductor CY62148DV30L-55SXIT
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CY62148DV30L-55SXIT
603-CY62148DV30L-55SXIT
无类别的
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32
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CY62148DV30L-55SXIT详情
Cypress Semiconductor CY62148DV30L-55SXIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
32-SOIC
终端数量
32
Package
Bulk
Base Product Number
CY62148
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32
Package Style
小概要
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
CY62148DV30L-55SXIT
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.65
Part Package Code
SOIC
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
MoBL®
JESD-609代码
e4
端子表面处理
镍钯金
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.2 V
内存大小
4Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
55 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX8
座位高度-最大
2.997 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
512K x 8
宽度
11.303 mm
长度
20.4465 mm
达到SVHC
unknown
CY62148DV30L-55SXIT拓展信息







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