Cypress Semiconductor CY62158DV30LL-55BVIT
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CY62158DV30LL-55BVIT
603-CY62158DV30LL-55BVIT
无类别的
48-VFBGA
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Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
1最小包装量--
CY62158DV30LL-55BVIT详情
Cypress Semiconductor CY62158DV30LL-55BVIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-VFBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
48-VFBGA (6x8)
终端数量
48
Package
Bulk
Base Product Number
CY62158
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
CY62158DV30LL-55BVIT
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.77
Part Package Code
BGA
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
MoBL®
JESD-609代码
e0
端子表面处理
锡铅
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.2 V
内存大小
8Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
55 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX8
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
1M x 8
宽度
6 mm
长度
8 mm
CY62158DV30LL-55BVIT拓展信息







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