Cypress Semiconductor CY62167DV20L-70BVI
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CY62167DV20L-70BVI
603-CY62167DV20L-70BVI
无类别的
48-VFBGA
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Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 9.50 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
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CY62167DV20L-70BVI详情
Cypress Semiconductor CY62167DV20L-70BVI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-VFBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
48-VFBGA (8x9.5)
终端数量
48
Package
Bulk
Base Product Number
CY62167
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
8 X 9.50 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
CY62167DV20L-70BVI
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.8
Part Package Code
BGA
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
MoBL2™
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
1.65V ~ 2.2V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
2.2 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
内存大小
16Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
70 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX16
座位高度-最大
1 mm
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
1M x 16
宽度
8 mm
长度
9.5 mm
CY62167DV20L-70BVI拓展信息







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