Cypress Semiconductor CY62167DV30LL-55ZI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

48-TSOP I

终端数量

48

Base Product Number

CY62167

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitivity Levels

3

Access Time-Max

55 ns

Manufacturer Part Number

CY62167DV30LL-55ZI

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Package

Bulk

Product Status

活跃

Package Description

12 X 18.40 MM, 1 MM HEIGHT, MO-142, TSOP1-48

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Risk Rank

5.83

Part Package Code

TSOP1

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

CONFIGURABLE AS 2M X 8 ALSO

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PDSO-G48

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.2 V

内存大小

16Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

记忆密度

16777216 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

1M x 16, 2M x 8

长度

18.4 mm

宽度

12 mm