Cypress Semiconductor CY62167DV30LL-70ZI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

48-TSOP I

终端数量

48

Package

Bulk

Base Product Number

CY62167

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.5

Part Package Code

TSOP1

Number of Words

1048576 words

Manufacturer Part Number

CY62167DV30LL-70ZI

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

70 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

1000000

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Package Description

12 X 18.40 MM, 1 MM HEIGHT, TSOP1-48

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PDSO-G48

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.2 V

内存大小

16Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

70 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

记忆密度

16777216 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

1M x 16, 2M x 8

长度

18.4 mm

宽度

12 mm