Cypress Semiconductor CY62256LL-70ZRI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

28-TSOP I

终端数量

28

Package

Bulk

Base Product Number

CY62256

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Part Package Code

TSOP

Risk Rank

5.41

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

TSOP1-R

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Number of Words

32768 words

Manufacturer Part Number

CY62256LL-70ZRI

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

70 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

32000

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Package Description

8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.55 mm

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDSO-G28

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

256Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

70 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

32KX8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

32K x 8

长度

11.8 mm

宽度

8 mm

达到SVHC

unknown