Cypress Semiconductor CY62256NLL-70SNCT
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CY62256NLL-70SNCT
603-CY62256NLL-70SNCT
无类别的
28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
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CY62256NLL-70SNCT详情
Cypress Semiconductor CY62256NLL-70SNCT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
28-SOIC
终端数量
28
Package
Bulk
Base Product Number
CY62256
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Part Package Code
SOIC
Risk Rank
5.63
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
SOP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
32768 words
Manufacturer Part Number
CY62256NLL-70SNCT
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
70 ns
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
32000
Package Style
小概要
Package Description
0.300 INCH, SOIC-28
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
MoBL®
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
256Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
70 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX8
座位高度-最大
2.794 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
32K x 8
长度
17.9324 mm
宽度
7.5057 mm
达到SVHC
unknown
CY62256NLL-70SNCT拓展信息







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