Cypress Semiconductor CY6264-70SNI
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CY6264-70SNI
603-CY6264-70SNI
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SNC-28
1最小包装量--
CY6264-70SNI详情
Cypress Semiconductor CY6264-70SNI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
28
Package Description
SOP, SOP28,.45
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
8000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOP28,.45
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY6264-70SNI
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
8.73
Part Package Code
SOIC
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.2 mA
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.794 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
65536 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
宽度
7.5057 mm
长度
17.9324 mm
CY6264-70SNI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
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