Cypress Semiconductor CY7B139-25JC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

68-LCC (J-Lead)

表面安装

YES

供应商器件包装

68-PLCC (24.23x24.23)

终端数量

68

Package

Bulk

Base Product Number

CY7B139

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

PLASTIC, LCC-68

Package Style

CHIP CARRIER

Number of Words Code

4000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC68,1.0SQ

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

25 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7B139-25JC

Number of Words

4096 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

8.74

Part Package Code

LCC

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; INTERRUPT FLAG

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

68

JESD-30代码

S-PQCC-J68

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

36Kbit

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.22 mA

访问时间

25 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

4KX9

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

9

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

记忆密度

36864 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

输出启用

YES

组织的记忆

4K x 9

宽度

24.2316 mm

长度

24.2316 mm