Cypress Semiconductor CY7C1007B-25VC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

28-SOJ

终端数量

28

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1007

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Access Time-Max

25 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1007B-25VC

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SOJ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.86

Part Package Code

SOJ

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

1000000

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Style

小概要

Package Description

0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDSO-J28

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

1Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

25 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX1

座位高度-最大

3.556 mm

内存宽度

1

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

1M x 1

长度

17.907 mm

宽度

7.5 mm