Cypress Semiconductor CY7C1011CV33-12ZXC

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

32-TSOP II

终端数量

44

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1011

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

LEAD FREE, TSOP2-44

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44,.46,32

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

12 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1011CV33-12ZXC

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.68

Part Package Code

TSOP2

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e4

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

引脚数量

44

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

内存大小

2Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.085 mA

访问时间

12 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.194 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

12ns

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

2097152 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3 V

组织的记忆

128K x 16

宽度

10.16 mm

长度

18.415 mm

达到SVHC

unknown