Cypress Semiconductor CY7C1018CV33-10VC
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CY7C1018CV33-10VC
603-CY7C1018CV33-10VC
无类别的
32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
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Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, SOJ-32
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CY7C1018CV33-10VC详情
Cypress Semiconductor CY7C1018CV33-10VC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
32-SOJ
终端数量
32
Package
Bulk
Base Product Number
CY7C1018
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Part Package Code
SOJ
Risk Rank
5.83
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
SOJ
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
131072 words
Manufacturer Part Number
CY7C1018CV33-10VC
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
10 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
128000
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Style
小概要
Package Description
0.300 INCH, SOJ-32
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-J32
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
内存大小
1Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX8
座位高度-最大
3.556 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
128K x 8
长度
20.828 mm
宽度
7.5819 mm
达到SVHC
unknown
CY7C1018CV33-10VC拓展信息







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