Cypress Semiconductor CY7C1019BV33-12ZC
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CY7C1019BV33-12ZC
603-CY7C1019BV33-12ZC
无类别的
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32
1最小包装量--
CY7C1019BV33-12ZC详情
Cypress Semiconductor CY7C1019BV33-12ZC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
32-TSOP II
终端数量
32
Package
Bulk
Base Product Number
CY7C1019
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Part Package Code
TSOP2
Risk Rank
5.72
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TSOP2
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
131072 words
Manufacturer Part Number
CY7C1019BV33-12ZC
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
12 ns
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
128000
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Package Description
TSOP2-32
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
端子表面处理
未说明
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.63 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.97 V
内存大小
1Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
12 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
128K x 8
长度
20.95 mm
宽度
10.16 mm
达到SVHC
unknown
CY7C1019BV33-12ZC拓展信息







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